RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
65
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
65
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
1921
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link