RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
49
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
39
Velocità di lettura, GB/s
10.2
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2808
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link