RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.2
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3402
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link