RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2399
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link