RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
49
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
22
Velocità di lettura, GB/s
10.2
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3779
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link