RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3052
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link