RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
49
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
36
Velocità di lettura, GB/s
10.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2332
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link