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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
49
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
43
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2776
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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