RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
10.2
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2347
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link