RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2430
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link