RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
71
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
71
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
1986
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link