RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
52
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3015
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link