RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
52
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
32
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3726
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link