RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
52
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
22
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3010
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link