RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
52
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
27
Velocità di lettura, GB/s
9.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2323
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link