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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
52
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
34
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3271
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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