RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
1832
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link