RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
52
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
21
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2337
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link