RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
52
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3552
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link