RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
70
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.2
5.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
70
Velocità di lettura, GB/s
11.2
5.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
1350
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link