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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
10.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2991
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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