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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
49
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
24
Velocità di lettura, GB/s
10.1
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3889
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U72CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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