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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
10.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2489
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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