RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.1
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3145
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link