RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.1
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2619
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link