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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
10.1
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2914
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Mushkin 994083 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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