RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
49
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
38
Velocità di lettura, GB/s
10.1
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2908
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link