RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
49
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
38
Velocità di lettura, GB/s
10.1
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2451
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KX830D-ELC 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link