RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
10.1
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3040
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link