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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3256
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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