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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
10.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2600
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
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