RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
10.4
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2136
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link