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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
10.4
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3803
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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