RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
70
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
70
Velocità di lettura, GB/s
10.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
1934
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link