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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
101
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
101
Velocità di lettura, GB/s
10.4
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
1382
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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