RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
86
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
86
Velocità di lettura, GB/s
10.4
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
1220
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link