RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K821PJ-MID 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
47
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
41
Velocità di lettura, GB/s
10.4
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2338
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link