RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
10.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2865
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link