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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
10.4
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3650
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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