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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
47
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
23
Velocità di lettura, GB/s
10.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
3147
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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