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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
47
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
37
Velocità di lettura, GB/s
10.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2438
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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