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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
55
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
52
Velocità di lettura, GB/s
9.4
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2424
2390
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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