RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3257
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link