RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
8.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3458
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link