RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
8.0
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3509
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link