RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3583
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link