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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
8.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3317
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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