RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
8.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2552
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link