RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
61
Intorno 46% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
61
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2025
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link