RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
20
Velocità di lettura, GB/s
8.0
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3359
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX6400S2LL/2G 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link